收藏本站
Si4636DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
2.0
4 8
36
24
V GS = 10 thru 4 V
V GS = 3 V
1.6
1.2
0.8
T J = 125 °C
12
0
0.4
0.0
25 °C
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
0.0100
0.0092
0.00 8 4
0.0076
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
3200
2560
1920
1280
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.006 8
0.0060
V GS = 10 V
640
0
C rss
C oss
0
12
24
36
4 8
60
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 10 A
1.7
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 10 A
8
V DS = 10 V
1.5
1.3
6
4
2
0
V DS = 15 V
V DS = 20 V
1.1
0.9
0.7
0.5
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
9
18
27
36
45
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74961
S09-0394-Rev. C, 09-Mar-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4638DY-T1-E3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4646DY-T1-GE3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4654DY-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SI4705-D-EVB BOARD EVAL MOBILE SI4704/05-D50
SI4706-B20-GM IC FM RADIO TUNER 20-QFN
SI4712DY-T1-GE3 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4731-D50-EVB BOARD EVAL SI4730/SI4731-D50
SI4731-D50-GM IC RADIO RECEIVER AM/FM 20-QFN
相关代理商/技术参数
SI4636DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 17A 4.4W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4638DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4638DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 22.4A 5.9W 6.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4642DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4642DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4642DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4646DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12A 6.25W 11.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4646DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12A 6.25W 11.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube